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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心MDP單晶和多晶硅片壽命測量儀(MDPmap)MDPmap-1MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀
產(chǎn)品簡介

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。

產(chǎn)品型號(hào):MDPmap-1
更新時(shí)間:2024-09-12
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:1828
詳細(xì)介紹在線留言

MDPmap:     

單晶和多晶硅片壽命測量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開發(fā)。         

       

        

特點(diǎn):        

  靈敏度:高的靈敏度,用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調(diào)查外延層的情況        

◇  測量速度:6英寸硅片<5min,分辨率為1mm        

◇  壽命范圍:20ns到幾十ms        

◇  污染測定:源于坩堝和設(shè)備的金屬(鐵)污染        

◇  測量能力:從切割好的硅片到加工的樣品        

◇  靈活性:固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)        

◇  可靠性:模塊化和緊湊型臺(tái)式儀器,可靠性更高,正常運(yùn)行時(shí)間>99%        

◇  重復(fù)性:> 99%        

◇  電阻率:電阻率測繪,無需頻繁校準(zhǔn)        

       
技術(shù)規(guī)格:         

樣品尺寸                        

直徑達(dá)300mm(標(biāo)準(zhǔn)臺(tái)),直徑達(dá)450mm(定制),*小為5 x 5mm                        

壽命測量范圍 

20ns至幾十ms以上 

電阻率                        

0.2 - >103Ω·cm,p-型/n-型                        

樣品材料                        

硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導(dǎo)體及更多材料                        

可測量的特性

壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dǎo)率 

激發(fā)波長                        

選擇從355nm到1480nm的*多四個(gè)不同波長。980nm(默認(rèn))                        

尺寸規(guī)格                        

體積:680 x 380 x 450毫米;重量:約65公斤                        

電源                        

100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A                        










MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 細(xì)節(jié):       

◇  用于研發(fā)或生產(chǎn)監(jiān)控的靈活測繪工具      

◇  MDPmap被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓        

◇  MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性,例如,它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器,用于測量從較低到高的注入水平的壽命,或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施,以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項(xiàng)??梢杂貌煌牡貓D進(jìn)行客戶定義的計(jì)算,也可以輸出主要數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步評(píng)估。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量任務(wù),預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)只需按下一個(gè)按鈕就能進(jìn)行常規(guī)測量。            


 附加選項(xiàng):        

       

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測量(晶圓)        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測量(MDP)        

◇  太陽能電池的LBIC(擴(kuò)散長度測量)        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  硅的內(nèi)部/外部鐵制圖        

◇  集成加熱臺(tái)        

◇  靈活的激光器配置 


MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀測量案例

                

                

鈍化多晶硅的壽命圖                

多晶硅的鐵污染圖            

                

                

單晶硅的硼氧圖            單晶硅的缺陷密度圖            
          
碳化硅外延片(>10μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs)            
            
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖            
            
非鈍化硅外延片(20μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖            


MDPmap 應(yīng)用:

鐵濃度測定        

鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的        

更多......        

     

摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量        

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用,但到目前為止,沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……        

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陷阱濃度測定        

陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對(duì)太陽能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度活化能        

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注入相關(guān)測量        

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心俘獲中心的信息。        

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